ВОЗМОЖНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ КРИСТАЛЛА GaAS В СОЛНЕЧНЫХ ЖИДКОСТНЫХ ЛАЗЕРАХ ДЛЯ МОДУЛЯЦИИ ДОБРОТНОСТИ РЕЗОНАТОРА
Ключевые слова:
солнечный лазер, модуляция добротности, арсенид галлия, импульсАннотация
В статье рассматривается возможность использования насыщающего полупроводникового кристалла арсенида галлия в качестве элемента модуляции добротности и, одновременно, выходного зеркала в резонаторах солнечных лазеров. Результаты математического моделирования показывают, что при использовании кристалла арсенида галлия в резонаторах солнечных лазеров можно получить последовательность коротких импульсов.
Библиографические ссылки
Котельников С.И. Применение технологии лазерного сканирование для мониторинга нефтеналивных резервуаров// Маркшейдерский вестник. №2. С. 1-5.2016.
Грезев А., В. Грезев и др. «Разработка лазерных технологий для нефтегазовой отрасли» // Станкоинструмент. №2. С. 38-41, 2016.
Hwang, I.H. and Lee, J. H., 1991. Efficiency and Threshold Pump Intensity of CW Solar-Pumped Solid-State Lasers // IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol. 27. N. 9.2129–2134.
Brauch U., Muckennschnabel, J., Opower, H. and Wittwer, W. , 1991, Solar-pumped Solid State Lasers for Space to Space Power Transmission” //Space Power, Resources, Manufacturing and Development.Vol. 10. N 3-4.С. 285-294.
Brauch U., Muckennschnabel, J., Thomson, G. A., Bernstein, H., Yogev, A., Reich, A. and Oron, M., 1992. Influence of Operating Temperature on the Power, Divergence, and Stress-Induced Birefringence in Solar-Pumped Solid State Lasers // Optical Engineering, Vol.31. No. 5. 1072-1078.
Голгер А.Л., Гудзенко Л.И., Яковленко С.И. О прямом преобразовании солнечной энергии в лазерное излучение // Квантовая электроника, 5. С.1982. 1978.
Гордиец Б.Ф., Панченко В.Я. Газовые лазеры с солнечным возбуждением // Успехи физических наук. №149.С. 551. 1986.
Серёгин А.А., Серёгина А.Е. Модель жидкостного импульсного лазера космического базирования с накачкой от Солнца // Квантовая электроника. Т 34. №2. С. 99. 2004.
Звельто О. Принципы лазеров.- Москва: «Мир». 1990. С.560.
Бахрамов С. А., Пайзиев Ш. Д. Образование дефектов в кристалле GaAs под воздействием излучения пикосекундного лазера около порога оптического разрушения // Оптика и спектроскопия. 2006. Т. 100. № 3. С. 451 – 453.
