ТЕМИР ВА КОБАЛЬТ ИОНЛАРИ БИЛАН ЛЕГИРЛАНГАН КРЕМНИЙ ЮЗАСИДАГИ КРИСТАЛЛ ТАРКИБНИНГ ҲАРОРАТГА ТАЪСИРИНИ ЎРГАНИШ
##article.subject##:
aralashmalar, profillar, ta'sir, termik tavlanish, joylashtirilgan atomlar, yupqa qatlamlar, chuqurlik, nurlanish dozalari, tuzilishi, plyonka, kontsentratsiyaning taqsimlanishi, faollashish harorati##article.abstract##
Ruterford backsctertering (RBS) usuli bilan nurlanish dozasi va kuydirish haroratiga qarab kremniyga joylashtirilgan temir va kobalt atomlarining tarqalish rejimlarini o'rganish natijalari keltirilgan. Olingan natijalar ikkilamchi ion massa spektroskopiyasi (SIMS) bilan olingan shunga o'xshash ma'lumotlar bilan yaxshi mos keladi. Termal tavlanishning temir, kobalt va, xususan, kislorodning tarqalishiga ta'siri o'rganildi. Issiqlik bilan ishlov berish va radiatsiya dozalarining ma'lum bir sharoitida bitta kristal yuzasida epitaksial silikidlar hosil bo'lganligi, ular o'tkazuvchi qatlamlar yoki metall qoplamalar rolini o'ynashi mumkinligi isbotlangan. Do'stlarning konsentratsiyali taqsimlanishini va aralashmalarning o'zaro ta'sirini tahlil qilish uchun RBS usulidan foydalanish imkoniyati qayd etilgan.
Библиографические ссылки
Gerasimenko.N.N., Parkhomenko Yu.N. Silicon as material for nanoelectronics//Technosfera, M. 2007.352P.
Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.
Pronin I.I., Gomonova M.V., Solovyev S.M., Vilkov O.Yu., Vyalix D.V.//Condensed Matter Physics Journal, 53, 573 (2011).
Gomonova M.V., Pronin I.I. // Journal of Technical Physics 81, 6, 120, (2011).
Lopatin O.M. //Ion implantation of minerals and their synthetic analogs –Saabruken: Publishing House LAP. 2011. – 206 P.
Эгамбердиев Б.Э. «Электронно- спектроскопические исследования физических свойств эпитаксиальных комбинаций и ионно- имплантированных слоев в кремнии». Докторская диссертация – М, 2003,С 243.
Эгамбердиев Б.Э., Холлиев Б.Ч., Маллаев А. С., Зоирова М. Э., Эшонхонов А. “Получение пленок CoSi2/Si (100) и анализ их морфологии и стехиометрии методами молекулярно-лучевой,твердофазной и реактивнойэпитаксии” ЭОМ, Молдова, 2007, №1, С.88-92.
Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний-материал наноэлектроники. М.: Техносфера,2007.352с.
Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717– 2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051 .
Лопатин О.Н. Ионная имплантация минералов и их синтетических аналогов. – Saabruken: Изд. дом LAP. 2011 . – 206 c.
Эгамбердиев Б.Э. , Маллаев А. С. Кремниевые силицидные структуры на основе ионного легирования. Т.:изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
Б.Э Эгамбердиев, А.Т.Рахманов и др. “Исследование методом РОР профиля распределения ионно-имплантированных атомов железа в кремнии”. Science and world, 2018, vol.1, №1(53), с.57-60
Egamberdiev B.E. Rakhmanov A.T. Mallaev A.S. Rozikov S. Research by method of Rutherford backscannering distribution of ion-implanted atoms of Fe in Si. Science and world.2018. 1(53).vol.1.p.57-60
